Nasensors大長徑比探針AR5 AR10
對于具有高縱橫比特征和側壁角度接近90°的樣品的測量，如半導體器件技術中的溝槽和接觸孔，NASENSORS?設計了高縱橫比AR5，AR5T，AR10和AR10T，顯示近垂直側壁。
型號均基于NASENSORS PointProbe Plus技術。針尖的總高度為10 - 15μm，可以對高瓦楞樣品進行測量。在幾微米處，呈現徑向對稱的高縱橫比部分。半徑通常為10nm（至少15納米）。 n
AR10的特征
AR10的高縱橫比部分長于1.5μm并且在1.5μm的高度處顯示出10：1（通常為12：1）的縱橫比。這對應于高度為1.5μm且半錐角小于2.8°時的直徑小于150nm。
AR5的特征
AR5的高縱橫比部分長于2μm并且在2.0μm的高度處顯示出5：1（通常為7：1）的縱橫比。這對應于高度為2μm且半錐角小于5°時的直徑小于400nm。
傾斜補償高縱橫比硅探頭
為了補償由原子力顯微鏡頭安裝（通常為13°）引起的傾斜角，我們將AR5和AR10針尖分別作為傾斜校正的AR5T和AR10T版本（的高縱橫比部分傾斜13°至的中心軸）。作為傾斜校正的結果，的高縱橫比部分將垂直于樣品表面，并且能夠測量深度和窄的特征以及附近垂直側壁并將證明對稱的成像。
AR10T的特征
AR10T的高縱橫比部分長于1.5μm并且在1.5μm的高度處顯示出10：1（通常為12：1）的縱橫比。這對應于高度為1.5μm且半錐角小于2.8°時的直徑小于150nm。的高縱橫比部分傾斜13±1°，相對于的中心軸。可根據要求提供其他傾斜角度。 n
AR5T的特征
AR5T的高縱橫比部分長于2μm并且在2.0μm的高度處顯示出5：1（通常為7：1）的縱橫比。這對應于高度為2μm且半錐角小于5°時的直徑小于400nm。該
的高縱橫比部分相對于的中心軸傾斜13±1°。
可以計算在所需高度處的高縱橫比部分的直徑，包括如下的半徑：
與頂點直徑的距離<+ 2x半徑縱橫比系數。
縱橫比因子考慮了有限的半徑。對于AR10，縱橫比因子為12.5，對于AR5探針，縱橫比因子為5.4。示例：在要求的600 nm高度，AR10的直徑小于78 nm。
支持芯片
懸臂固定在硅支撐芯片上（可在?PointProbePlus傳單中的SPM探頭組件示意圖中看到）。作為探頭的組成部分的支撐芯片設計用于操縱探針并將其固定到SPM。支撐芯片的幾何尺寸可重復，可實現
更換探頭而無需重新調整激光器。通過支撐芯片背面的對準槽與我們的對準芯片相結合，進一步了這一點。如果它們中的任何一個傾斜，則支撐芯片的倒角邊緣避免芯片和樣品之間的接觸。 n
懸臂
懸臂的橫截面是梯形的，這提供了幾個優(yōu)點。懸臂的探測器側相當寬。這使得能夠容易地調整光學系統。然而，決定彈簧常數的懸臂的平均寬度要小得多。側的小懸臂寬度減小了懸臂的阻尼，這對于動態(tài)（非接觸輕敲模式）模式下的操作是重要的。
材料特征
NASENSORS高縱橫比SPM探針由高摻雜的單晶硅制成，具有的功能。硅是眾所周知的半導體技術材料。
