薄膜電阻器是用類蒸發(fā)的方法將電阻率材料蒸鍍于緣材料表面制成，一般這類電阻常用的緣材料是陶瓷基板。

     近年來，隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路及其它線性或非線性電路的發(fā)展日新月異，其中以薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)為的高運(yùn)算放大器和高的 A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路是不可少的。為了ADC和 DAC 的和分辨率，薄膜電阻的性能也須有相應(yīng)的。

DAC 和ADC 和分辨率的高低主要取決于器件內(nèi)部的電阻網(wǎng)絡(luò)，DAC 和ADC 轉(zhuǎn)換器件一般多選用R－2R 梯形電阻網(wǎng)絡(luò)。電阻網(wǎng)絡(luò)性能的分析研究和制作，一直是模擬器件研制和生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。薄膜電阻由于具有高電阻率、低電阻溫度系數(shù)、高穩(wěn)定性、無寄生效應(yīng)和低噪音等優(yōu)良特性，在航空、國以及電子計(jì)算機(jī)、通訊儀器、電子交換機(jī)等高新領(lǐng)域有了越來越廣泛的應(yīng)用。

     薄膜的形成實(shí)質(zhì)上是氣－固轉(zhuǎn)化、晶體生成的過程，它大致可以分為下面幾個主要步驟：原子或分子撞擊到固體的表面；它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間；被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴(kuò)散而移動到表面上合適的格點(diǎn)位置并進(jìn)入晶格。這些過程以及它們之間的相互關(guān)系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質(zhì)。

     電材料分類：

     目前，制作電阻薄膜的材料有許多，包括屬、金屬合金、金屬化合物或金屬陶瓷(陶瓷和金屬的組合)等，但單片模擬集成電路和薄膜混合電路中廣泛使用的材料有三種:鎳鉻、鉻硅和鉻硅氧化物金屬陶瓷，其中鎳鉻屬于低阻類材料，而鉻硅和鉻氧化硅屬于高阻類材料。按照組成材料的不同，常用薄膜類電阻材料分為三種，鎳鉻、鉻硅和鉻一氧化硅。

      區(qū)別：

      薄膜電阻器與厚膜電阻器主要有以下兩個區(qū)別：

      一、膜厚的區(qū)別，厚膜電阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多處于小于1μm；

      二、制造工藝的區(qū)別，厚膜電阻一般采用絲網(wǎng)印刷工藝，薄膜電阻采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區(qū)別直接導(dǎo)致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般較差，10%，5%，1%是常見，而薄膜電阻則可以做到0.01%一，0.1%一等。 同時厚膜電阻的溫度系數(shù)上很難控制，一般較大，同樣的，薄膜電阻則可以做到低的溫度系數(shù)，這樣電阻阻值隨溫度變化小，阻值穩(wěn)定。所以薄膜電阻常用于各類儀器儀表，器械，電源，電力設(shè)備，電子數(shù)碼產(chǎn)品等。