無錫海明威電子科技有限公司
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東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型（-MOSIV）2SK3565開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用
低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 2.0
?高正向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納（典型值）：| YFS | = 4.5 S（典型值）
?低漏電流：IDSS = 100 A（VDS = 720 V）
?增強(qiáng)模式：Vth的= 2.0?4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）的
額定值（Ta = 25°C）
東芝2SK3565特性號(hào)額定值單位
漏源電壓VDSS 900 V漏 - 柵電壓（RGS = 20kΩ的）VDGR 900 V柵源電壓VGSS±30 V DC（注1）ID 5漏電流脈沖（T = 1毫秒）（注1）IDP 15疏功耗（TC = 25°C）PD 45 W單脈沖雪崩能量（注2）EAS 595兆焦耳雪崩電流IAR 5 A重復(fù)雪崩能量（注3）EAR 4.5兆焦耳溝道溫度Tch 150°C保存溫度Tstg -55?150℃
