半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。

三管內部有兩個PN結，可用萬用表電阻檔分辨e、b、c三個。在型號標注模糊的情況下，也可用此法判別管型。

　　① 基的判別

　　判別管時應先確認基。對于PNP管，用黑表筆接假定的基，用紅表筆分別接觸另外兩個，若測得電阻都小，約為幾百歐~幾千歐；而將黑、紅兩表筆對調，測得電阻均較大，在幾百千歐以上，此時假定就是基。NPN管，情況正相反，測量時兩個PN結都正偏（電阻均較小）的情況下，紅表筆接基。

　　實際上，小功率管的基一般排列在三個管腳的中間，可用上述方法，分別將黑、紅表筆接基，既可測定三管的兩個PN結是否完好（與二管PN結的測量方法一樣），又可確認管型。

　　② 集電和發射的判別

　　確定基后，假設余下管腳之一為集電c，另一為發射e，用手指分別捏住c與b（即用手指代替基電阻Rb）。同時，將萬用表兩表筆分別與c、e接觸，若被測管為NPN，則用黑表筆接觸c、用紅表筆接e（PNP管相反），觀察指針偏轉角度；然后再設另一管腳為c，重復以上過程，比較兩次測量指針的偏轉角度大的表明IC大，管子處于放大狀態，相應假設的c、e正確。