增特科技代理NEC現貨供應硅頻低噪聲功率N型外延層三管2S226-T1

封裝：SOT23-in

少包裝：3000Pcs/Reel

庫存數量：60K（深圳現貨，大批量訂貨一周）

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2S226描述：

　　2S226硅頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態范圍和理想的電流特性。主要應用于頻低噪聲功率管主要應用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研制開發了系列高頻微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品類同。

2S226參數：
　　類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
　　集電-發射電壓VCEO：12V
　　集電-基電壓VCBO:20V
　　發射-基電壓VEBO:3.0V
　　集電直流電流IC:100mA
　　總耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
　　工作結溫Tj:150℃
　　貯存溫度Tstg:-65~150℃
　　封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
　　功率特性：率
　　性：NPN型
　　結構：擴散型
　　材料：硅(Si)
　　封裝材料：塑料封裝
　　電性能參數（TA=25℃）：
　　擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
　　直流放大系數hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
　　集電-基截止電流ICBO:100nA(值)
　　發射-基截止電流IEBO:100nA(值)
　　特征頻率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
　　集電允許電流IC：0.1（A）
　　集電允許耗散功率PT：0.2（W）
　　功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　噪聲系數NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。